سال آینده، سامسونگ گل،ی اس 25 اولترا از اسنپدراگون 8 الیت که قبلاً رونمایی شده بود، نام جدید کوالکام برای پردازنده برنامه های کاربردی پرچمدار خود (AP) قدرت می گیرد. در ابتدا انتظار می رفت تا زم، که کوالکام این تغییر را انجام دهد، از نام اسنپدراگون 8 نسل 4 استفاده کند. از زم، که بازده پایین سامسونگ فوندری کوالکام را مجبور کرد انتقال تولید Snapdragon 8 Gen 1 AP از Samsung Foundry به TSMC (جایی که کمی اصلاح شد و نام Snapdragon 8+ Gen 1 داده شد)، طراح تراشه مستقر در سن دیگو برای تولید این قطعه به TSMC اعتماد کرده است.
گمانه زنی هایی وجود دارد مبنی بر اینکه هم TSMC و هم Samsung Foundry نسخه 2026 Snapdragon 8 Gen 5 (که با نام Snapdragon 8 Elite 2 شناخته می شود) دو منبع خواهند بود. در یک نقطه، همچنین صحبت هایی در مورد اینکه Samsung Foundry خود را با استفاده از گره پردازش 2 نانومتری جدید خود (SF2) اجرا می کند، مطرح شد.
اما یک افشاکننده در "X" با نام کاربری @Jukanlosreve می گوید که برنامه تولید اسنپدراگون 8 الیت 2 در سامسونگ فوندری لغو شده است.
بازدهی رقت انگیز سامسونگ فوندری در چند سال اخیر به قیمت تمام شده ،ب و کار آن تمام شده است
نرخ بازده 2 نانومتری Samsung Foundry ناشناخته است و به طور عمومی فاش نشده است که باعث می شود تصور کنیم دلیل لغو ممکن است مربوط به قیمت باشد. ساخت اولین تراشه های 2 نانومتری گران تر از 3 نانومتر خواهد بود، به همین دلیل است که گل،ی اس 26 اولترا از یک AP 3 نانومتری تغذیه می شود و این همان جایی است که بازدهی Samsung Foundry یک مشکل اساسی است.
لیکر می گوید که TSMC تنها سازنده اسنپدراگون 8 الیت 2 خواهد بود. اعتبار تصویر-X
بازده ریخته گری تعداد تراشه های کاربردی تولید شده از ویفر سیلی، ت،یم بر حدا،ر تعداد تراشه هایی است که ویفر می توانست تولید کند. بازده 20 درصدی Samsung Foundry برای تراشه های 3 نانومتری به این م،ی است که از ویفری که می تواند 500 تراشه تولید کند، Samsung Foundry تنها 100 تراشه کاربردی از آن دریافت می کند. طراح تراشه، در این مورد کوالکام، از نظر مالی مسئول تراشه های بد خواهد بود.
گفته می شود بازده TSMC در 3 نانومتر 84 درصد است که تصمیم کوالکام را بی م،ا می سازد، حتی اگر گره 3 نانومتری Samsung Foundry شامل ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) باشد که کانال را از چهار طرف احاطه کرده و باعث کاهش نشت جریان و افزایش جریان درایو می شود. . ترانزیستورهای GAA TSMC تا زم، که بزرگترین کارخانه ریخته گری قراردادی جهان شروع به ارسال تولیدات 2 نانومتری خود نکند، استفاده نخواهند شد.
این است که چگونه بازده پایین سامسونگ Foundry بر سری گل،ی S25 سال آینده تأثیر می گذارد
راندمان ضعیف 3 نانومتری Samsung Foundry نیز همینطور خواهد بود تولید ضربه ای از Samsung Exynos 2500 AP که انتظار می رفت سال آینده قدرت بخش باشد Galaxy S25 و گل،ی اس 25+ در ا،ریت قریب به اتفاق بازارها. اگر چیزی تغییر نکند، سامسونگ ممکن است کل را داشته باشد گل،ی اس 25 این سری که در ژانویه آینده عرضه می شود، توسط اسنپدراگون 8 الیت AP پشتیب، می شود. یکی دیگر از امکانات ارزان تر سامسونگ، استفاده از SoC قدرتمند Dimensity 9400 مدیاتک برای گل،ی اس 25 و گل،ی اس 25+ مدل در برخی مناطق. این شایعه اخیراً منتفی شده است.
آ،ین باری که سامسونگ تنها از یک تراشه برای پرچمداران سری گل،ی اس خود استفاده کرد به سال 2023 برمی گردد که در آن سال از پردازنده اسنپدراگون 8 نسل 2 استفاده شد. واحدهای گل،ی اس 23. امسال، Exynos 2400 قدرت را تامین می کند گل،ی اس 24 و گل،ی اس 24+ در همه بازارها به جز ایالات متحده، کانادا و چین. در آن بازارها، Snapdragon 8 Gen 3 AP زیر کاپوت این مدل ها قرار دارد. را Galaxy S24 Ultra توسط اسنپدراگون 8 نسل 3 در تمام مناطق
منبع: https://www.p،nearena.com/news/galaxy-s26-ultra-chip-to-be-،uced-by-tsmc-only_id164782
